微电子制造导论pdf我们将详细叙述用于单片集成电路（IC）制造的基本工艺。硅是当前整个集成电路（IC）工业中最重要的材料，由于篇幅有限，本书只讨论硅工艺过程。然而，这里讨论的基本工艺对于化合物半导体集成电路（ICs）如:砷化镓（GaAs）或磷化铟（InP），及厚膜和薄膜混合集成电路也是适用的。锗是最早受到广泛关注的用于半导体器件制造的材料之一，但是，它在20世纪60年代早期很快被硅材料所取代。由于硅具有两个主要工艺优点，因此显现出其作为最佳半导体材料的优势。硅材料很容易被氧化而形成高质量电子隔离层；并且，氧化层能作为一个很好的集成电路制造必需的选择性扩散工艺的阻挡层。硅也显现出一些特殊的优点。硅是一种自然界富含的元素，这保证了较为廉价的原材料来源。硅比锗具有更宽的带隙，因此能在更高温下工作。回顾过去可以看出，工艺优点是硅比其它半导体材料更具有优势的最重要原因。

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